11月27日，三星宣布了存储芯片和代工芯片部门的新负责人。截至当日收盘，三星股价跌幅超过3%。

根据最新任命，半导体和器件解决方案（DS）部门负责人兼公司副董事长全永贤（Jun Young-hyun）被赋予了更大的职责。他将担任三星联席首席执行官，负责DS和存储芯片业务；负责三星电子美国半导体业务的执行副总裁韩镇满（Han Jin-man）晋升为总裁兼代工业务部门负责人；芯片工厂工程和运营主管 Seok-woo Nam 将出任代工业务首席技术官。

三星芯片部门的最新任命是在该部门业绩大幅下滑的情况下宣布的。上个月，三星就该部门季度利润暴跌 40% 表示歉意，称这与其“主要客户”的人工智能芯片业务的延迟有关。

过去一年来，三星一直在努力发展AI芯片业务，希望在存储芯片领域赶上SK海力士，在代工芯片领域赶上台积电。不过，由于AI存储芯片量产交付延迟，今年8月以来三星股价已下跌近30%。公司迫切需要扭转危机。

本周，三星董事长李在镕罕见地公开评论公司业务，称“三星正面临前所未有的挑战”。 “我完全意识到人们对三星的未来感到严重担忧，”李在镕在他作为被告的会计欺诈案的最终听证会上表示。

目前，三星在AI高带宽存储芯片（HBM）领域的主要竞争对手是SK海力士和美光。从全球市场对HBM芯片的需求来看，、AMD等AI芯片巨头是此类芯片的主要客户。

英伟达创始人兼首席执行官黄延森早在今年3月份的英伟达GTC技术峰会上就表示，除了SK海力士之外，英伟达正在测试三星的HBM芯片，预计未来也会使用它们。

八个月后，黄仁勋近日在香港讨论公司是否计划使用三星存储芯片时，仍表示正在加速验证三星8层和12层高带宽芯片。

HBM是2013年首次推出的DRAM标准存储芯片，其核心技术依靠芯片的垂直堆叠来节省空间并降低功耗。它非常适合处理复杂的人工智能应用产生的大量数据。

黄仁勋此前表示，HBM制造难度极高，“堪称奇迹”。这些芯片的制造更加复杂，并且提高产量也很困难。根据 3 月份的一份报告，HBM 的生产周期比个人电脑和服务器中常见的 DDR5 内存芯片慢 1.5 至 2 个月。

某研究院分析师盛凌海向第一财经记者分析：“HBM需要垂直堆叠，并与基板上的主芯片密封，制造工艺复杂，良率较低。”

截至今年3月，SK海力士仍然是 AI芯片唯一公开的下一代HBM供应商。在英伟达最新架构的AI芯片中，整个芯片封装了192GB高速HBM3e显存，大大增强了数据吞吐能力。

SK海力士已于今年第三季度开始量产12层HBM3e，这也是最新一代的HBM。尽管如此，黄在本月的财报电话会议上仍将美光列为合作伙伴，但没有提及三星。

由于HBM芯片在大型模型训练中发挥着至关重要的作用，因此也成为芯片厂商在本轮人工智能热潮中争夺的重要资源。随着各大科技巨头纷纷推出更高性能的大型AI模型，用于AI训练的HBM芯片严重短缺。

今年早些时候，SK海力士和美光警告客户，2024年的HBM芯片已经售空，库存紧张的情况预计将持续到2025年。2025年的HBM芯片订单也已满。

盛凌海告诉第一财经记者，在全球市场上，英伟达、AMD等芯片巨头“承包了几乎所有产能”。 “ 将 HBM​​ 用于其 GPU，推动了行业对 HBM 的需求。AI 训练和推理需要高带宽。”他说。

目前，市场仍然预计三星能够在HBM芯片领域赶上竞争对手。大和证券执行董事兼分析师SK Kim在此前发布的投资报告中表示，三星在12层HBM3e样品工艺方面仍处于相对领先地位。如果能够尽快实现量产交付，预计将在2024年底实现，并在2025年获得更多市场份额。